罗姆(ROHM)针对伺服器等工控设备，和AC适配器等消费性电子设备的一次侧电源，推出集结了650V GaN HEMT和闸极驱动器等技术的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。
近年来为了实现永续发展社会，对消费性电子和工控设备的电源提出了更高的节能要求。针对上述需求，GaN HEMT因有助提高功率转换效率和实现元件小型化被寄予厚望。然而与Si MOSFET相比，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用。在此市场背景下，ROHM结合了功率和类比两种核心技术优势，开发出集结功率半导体(GaN HEMT和类比半导体)闸极驱动器於一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为新世代功率半导体的GaN元件能更轻易地被导入。
新产品中汇集了新世代功率元件650V GaN HEMT、能够大幅发挥GaN HEMT性能的专用闸极驱动器，以及追加功能和周边元件。另外新产品支援更宽的驱动电压范围(2.5V~30V)，具备支援一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET(Super Junction MOSFET, Si MOSFET)。与Si MOSFET相比，元件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和小型化。
新产品已於2023年6月开始量产。新产品及对应的三款评估板(BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003)也已开始透过电商平台销售。